摘要： 目的:探讨典型配伍药对雄黄（As2S2）电化学溶出行为的影响，并从物理屏障和化学作用角度分析其抑制机制。方法:采用循环伏安法（CV）和电化学阻抗谱（EIS）研究雄黄及其与太子参、丹参、青黛配伍体系的氧化还原特征与界面反应动力学，并结合X射线光电子能谱（XPS）分析电极表面砷的价态变化与结合能分布。结果:CV与EIS显示，配伍药的加入使雄黄氧化峰电流降低、电荷转移阻抗升高，提示其可抑制雄黄的电化学溶出。XPS进一步表明，配伍后As（Ⅱ）比例下降，而As（Ⅲ）及高价砷物种增加。在各配伍体系中丹参组As（Ⅲ）比例最高（65.62%），太子参组出现少量As（V）(5.53%)，青黛组形成结合能更高的砷物种。结论:配伍药可能通过表面吸附或与砷发生相互作用，抑制砷的溶出。该研究为含雄黄复方体系中组方间相互作用及砷溶出抑制机制提供了电化学依据。

关键词: 雄黄；复方黄黛片；电化学；抑制作用；氧化还原